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STマイクロエレクトロニクス Nチャンネル パワーMOSFET 55 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン 1袋(5個入) STB55NF06LT4 1袋(5個入)

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STマイクロエレクトロニクス Nチャンネル パワーMOSFET 55 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン 1袋(5個入) STB55NF06LT4 1袋(5個入)

NチャンネルSTripFET II、STMicroelectronics広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。入数:1袋(5個入)チャンネルタイプ:N最大連続ドレイン電流:55 A最大ドレイン-ソース間電圧:60 V最大ドレイン-ソース間抵抗:20 mΩ最低ゲートしきい値電圧:1V最大ゲート-ソース間電圧:-16 V, +16 Vパッケージタイプ:D2PAK (TO-263)実装タイプ:表面実装ピン数:3チャンネルモード:エンハンスメント型カテゴリー:パワーMOSFET最大パワー消費:95 W標準ターンオン遅延時間:20nSRoHS適合状況:適合コード番号:761-0405

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